FT838MBD内置mos充电器适配器主控IC

FMD一级代理，提供原厂技术支持及样品测试

欢迎来电获取详细方案资料

联系人：刘霞凤

电话：0755-83228269 18320771883

Q Q：2850187695

输入电压范围： 90~264V

输出电压/电流： 5V/2A

尺寸： 45.3*36.9mm

典型效率： 79%

EMI： pass

空载待机功耗： <120mW

最大输出纹波： <80mVp-p

1、高效率 ≥78.7% @115V/230V；

2、低待机功耗 ＜120mW；

3、输出纹波噪音低 ＜80mV；

4、内置MOS，DIP8封装，IC温升

低，外围元件少，成本低；

5、在五级能效标准基础上有充足的

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输出电压/电流： 5V/2A

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典型效率： 79%

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2、低待机功耗 ＜120mW；

3、输出纹波噪音低 ＜80mV；

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5、在五级能效标准基础上有充足的

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